型号:

IRFS3107TRLPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFS3107TRLPBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 195A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3 毫欧 @ 140A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9370pF @ 50V
功率 - 最大 370W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 标准包装
产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFS3107TRLPBFDKR
相关参数
3013308 Wurth Electronics Inc SHIELDING TAPE ALUM 8MMX33M
611C Hammond Manufacturing TRANSFORMER PULSE 56MH 3.31DCR
AB7010HF 3M EMI ABSORBER .10MM 8.26X11.7" HF
IRFS3107TRLPBF International Rectifier MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
4051PA51H09600 Laird Technologies EMI GASKET FABR/FOAM 1.5X12.7MM RECT
IRFS3107TRLPBF International Rectifier MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
1183 3/4X18 3M TAPE COPPER FOIL .75" X 18YDS
610C Hammond Manufacturing TRANSFORMER PULSE 12MH 4DCR
0097054002 Laird Technologies EMI RFI EMI GROUNDING MATERIAL
IRF1104PBF International Rectifier MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
8866-9157-89 Laird Technologies EMI RFI EMI SHIELDING MATERIAL
IRF1010EZSPBF International Rectifier MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
0097053717 Laird Technologies EMI RFI EMI GROUNDING MATERIAL
611B Hammond Manufacturing TRANSFORMER PULSE 17.2MH 1.26DCR
IRF3710LPBF International Rectifier MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
0097095217 Laird Technologies EMI RFI EMI GROUNDING MATERIAL
IRF3315SPBF International Rectifier MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
3022510 Wurth Electronics Inc GASKET FABRIC/FOAM 10X25MM RECT
IX-30-0001 Schurter Inc IX5 PULSE TRANSFORMER THT 1A
1245 3/4X18 3M EMI EMBOSSD COPPER SLD TAPE 3/4"